
納米位移臺長距離移動(dòng)的誤差來源
在納米位移臺進(jìn)行長距離移動(dòng)時(shí),各種誤差會隨著行程放大,影響位置精度。理解誤差來源有助于優(yōu)化控制方式與實(shí)驗(yàn)設(shè)置。
納米位移臺長距離移動(dòng)的誤差來源
傳感器線性度不足
電容、光柵或應(yīng)變片反饋在大范圍內(nèi)線性下降,導(dǎo)致位置反饋偏移。
壓電材料的遲滯與非線性
指令與實(shí)際位移不完全同步,長行程時(shí)誤差累積更明顯。
步進(jìn)式結(jié)構(gòu)的累積步差
每一步的微小偏差在長程運(yùn)動(dòng)中不斷疊加,造成明顯位置誤差。
機(jī)械導(dǎo)軌誤差
導(dǎo)軌直線度不完美、摩擦變化或微間隙,會讓運(yùn)動(dòng)路徑產(chǎn)生偏移。
控制系統(tǒng)響應(yīng)不足
控制帶寬或 PID 參數(shù)不適合大位移,反饋補(bǔ)償滯后導(dǎo)致偏差。
溫度變化帶來的漂移
環(huán)境溫度影響壓電材料和傳感器零點(diǎn),使長距離移動(dòng)出現(xiàn)額外誤差。